उत्पाद का विवरण
भुगतान और शिपिंग की शर्तें
विवरण: IC DRAM 64MBIT PAR 66TSOP II
श्रेणी: |
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति |
मेमोरी का आकार: |
64 एमबीटी |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
माउंटिंग प्रकार: |
सतह माउंट |
पैकेज: |
टेप और रील (TR) |
श्रृंखला: |
- |
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: |
सत्यापित नहीं |
मेमोरी इंटरफ़ेस: |
समानांतर |
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: |
15एनएस |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
66-TSOP II |
मेमोरी प्रकार: |
परिवर्तनशील |
एमएफआर: |
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स |
घड़ी की आवृत्ति: |
200 मेगाहर्ट्ज |
वोल्टेज - आपूर्ति: |
2.3V ~ 2.7V |
पहूंच समय: |
55 एनएस |
पैकेज / मामला: |
66-टीएसएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई) |
स्मृति संगठन: |
4एम x 16 |
परिचालन तापमान: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
तकनीकी: |
एसडीआरएएम - डीडीआर |
मूल उत्पाद संख्या: |
W9464G6 |
मेमोरी प्रारूप: |
घूंट |
श्रेणी: |
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति |
मेमोरी का आकार: |
64 एमबीटी |
उत्पाद की स्थिति: |
सक्रिय |
माउंटिंग प्रकार: |
सतह माउंट |
पैकेज: |
टेप और रील (TR) |
श्रृंखला: |
- |
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: |
सत्यापित नहीं |
मेमोरी इंटरफ़ेस: |
समानांतर |
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: |
15एनएस |
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: |
66-TSOP II |
मेमोरी प्रकार: |
परिवर्तनशील |
एमएफआर: |
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स |
घड़ी की आवृत्ति: |
200 मेगाहर्ट्ज |
वोल्टेज - आपूर्ति: |
2.3V ~ 2.7V |
पहूंच समय: |
55 एनएस |
पैकेज / मामला: |
66-टीएसएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई) |
स्मृति संगठन: |
4एम x 16 |
परिचालन तापमान: |
-40°C ~ 85°C (TA) |
तकनीकी: |
एसडीआरएएम - डीडीआर |
मूल उत्पाद संख्या: |
W9464G6 |
मेमोरी प्रारूप: |
घूंट |
