उत्पाद का विवरण
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विवरण: IC PSRAM 128MBIT PAR 24TFBGA
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | मेमोरी का आकार: | 128 एमबीटी | उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | पैकेज: | ट्रे | श्रृंखला: | - | डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 40एनएस | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 24-TFBGA (6x8) | मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | एमएफआर: | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | घड़ी की आवृत्ति: | 100 मेगाहर्ट्ज | वोल्टेज - आपूर्ति: | 2.7V ~ 3.6V | पहूंच समय: | 40 एनएस | पैकेज / मामला: | 24-टीबीजीए | स्मृति संगठन: | 16एम x 8 | परिचालन तापमान: | -40°C ~ 85°C (TA) | तकनीकी: | पीएसआरएएम (छद्म SRAM) | मूल उत्पाद संख्या: | IS66WVH16M8 | मेमोरी प्रारूप: | पीएसआरएएम | 
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | 
| मेमोरी का आकार: | 128 एमबीटी | 
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | 
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | 
| पैकेज: | ट्रे | 
| श्रृंखला: | - | 
| डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | 
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | 
| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 40एनएस | 
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 24-TFBGA (6x8) | 
| मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | 
| एमएफआर: | ISSI, एकीकृत सिलिकॉन समाधान इंक | 
| घड़ी की आवृत्ति: | 100 मेगाहर्ट्ज | 
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 2.7V ~ 3.6V | 
| पहूंच समय: | 40 एनएस | 
| पैकेज / मामला: | 24-टीबीजीए | 
| स्मृति संगठन: | 16एम x 8 | 
| परिचालन तापमान: | -40°C ~ 85°C (TA) | 
| तकनीकी: | पीएसआरएएम (छद्म SRAM) | 
| मूल उत्पाद संख्या: | IS66WVH16M8 | 
| मेमोरी प्रारूप: | पीएसआरएएम |