उत्पाद का विवरण
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विवरण: आईसी SRAM 4MBIT समानांतर 44TSOP II
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | पैकेज: | टेप और रील (TR) | श्रृंखला: | - | डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 12ns | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 44-टीएसओपी II | मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | एमएफआर: | रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | मेमोरी का आकार: | 4 एमबीटी | वोल्टेज - आपूर्ति: | 3V ~ 3.6V | पहूंच समय: | 12 एनएस | पैकेज / मामला: | 44-टीएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई) | स्मृति संगठन: | 512 के एक्स 8 | परिचालन तापमान: | 0°C ~ 70°C (TA) | तकनीकी: | SRAM - अतुल्यकालिक | मूल उत्पाद संख्या: | 71वी424 | मेमोरी प्रारूप: | एसआरएएम | 
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | 
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | 
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | 
| पैकेज: | टेप और रील (TR) | 
| श्रृंखला: | - | 
| डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | 
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | 
| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 12ns | 
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 44-टीएसओपी II | 
| मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | 
| एमएफआर: | रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक | 
| मेमोरी का आकार: | 4 एमबीटी | 
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 3V ~ 3.6V | 
| पहूंच समय: | 12 एनएस | 
| पैकेज / मामला: | 44-टीएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई) | 
| स्मृति संगठन: | 512 के एक्स 8 | 
| परिचालन तापमान: | 0°C ~ 70°C (TA) | 
| तकनीकी: | SRAM - अतुल्यकालिक | 
| मूल उत्पाद संख्या: | 71वी424 | 
| मेमोरी प्रारूप: | एसआरएएम |