उत्पाद का विवरण
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विवरण: आईसी DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | मेमोरी का आकार: | 2 जीबीटी | उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | पैकेज: | ट्रे | श्रृंखला: | - | डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 15एनएस | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 84-एफबीजीए (9x12.5) | मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | एमएफआर: | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | घड़ी की आवृत्ति: | 400 मेगाहर्ट्ज | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | पहूंच समय: | 400 PS | पैकेज / मामला: | 84-टीएफबीजीए | स्मृति संगठन: | 128एम x 16 | परिचालन तापमान: | 0 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीसी) | तकनीकी: | एसडीआरएएम - डीडीआर2 | मूल उत्पाद संख्या: | MT47H128M16 | मेमोरी प्रारूप: | घूंट | 
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | 
| मेमोरी का आकार: | 2 जीबीटी | 
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | 
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | 
| पैकेज: | ट्रे | 
| श्रृंखला: | - | 
| डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | 
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | 
| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 15एनएस | 
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 84-एफबीजीए (9x12.5) | 
| मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | 
| एमएफआर: | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | 
| घड़ी की आवृत्ति: | 400 मेगाहर्ट्ज | 
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | 
| पहूंच समय: | 400 PS | 
| पैकेज / मामला: | 84-टीएफबीजीए | 
| स्मृति संगठन: | 128एम x 16 | 
| परिचालन तापमान: | 0 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस (टीसी) | 
| तकनीकी: | एसडीआरएएम - डीडीआर2 | 
| मूल उत्पाद संख्या: | MT47H128M16 | 
| मेमोरी प्रारूप: | घूंट |