उत्पाद का विवरण
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विवरण: आईसी एसआरएएम 18 एमबीआईटी एचएसटीएल 165 एफबीजीए
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | मेमोरी का आकार: | 18एमबिट | उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | पैकेज: | थोक | श्रृंखला: | QDR™ | डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | मेमोरी इंटरफ़ेस: | एचएसटीएल | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | - | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 165-एफबीजीए (13x15) | मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | एमएफआर: | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | घड़ी की आवृत्ति: | 250 मेगाहर्ट्ज | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | पैकेज / मामला: | 165-टीबीजीए | स्मृति संगठन: | 2 एम एक्स 8 | परिचालन तापमान: | 0°C ~ 70°C (TA) | तकनीकी: | SRAM - तुल्यकालिक | पहूंच समय: | 450 पीएस | मेमोरी प्रारूप: | एसआरएएम | 
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | 
| मेमोरी का आकार: | 18एमबिट | 
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | 
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | 
| पैकेज: | थोक | 
| श्रृंखला: | QDR™ | 
| डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | 
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | एचएसटीएल | 
| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | - | 
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 165-एफबीजीए (13x15) | 
| मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | 
| एमएफआर: | माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक। | 
| घड़ी की आवृत्ति: | 250 मेगाहर्ट्ज | 
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | 
| पैकेज / मामला: | 165-टीबीजीए | 
| स्मृति संगठन: | 2 एम एक्स 8 | 
| परिचालन तापमान: | 0°C ~ 70°C (TA) | 
| तकनीकी: | SRAM - तुल्यकालिक | 
| पहूंच समय: | 450 पीएस | 
| मेमोरी प्रारूप: | एसआरएएम |