श्रेणी:	एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति	मेमोरी का आकार:	4 जीबीटी
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
पैकेज:	टेप और रील (TR)	श्रृंखला:	ऑटोमोबाइल, एईसी-क्यू100
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:	सत्यापित नहीं	मेमोरी इंटरफ़ेस:	समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	18एनएस	आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	200-टीएफबीजीए (10x14.5)
मेमोरी प्रकार:	परिवर्तनशील	एमएफआर:	माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
घड़ी की आवृत्ति:	2.133 गीगाहर्ट्ज़	वोल्टेज - आपूर्ति:	1.06 वी ~ 1.17 वी
पैकेज / मामला:	200-टीएफबीजीए	स्मृति संगठन:	256M x 16
परिचालन तापमान:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी)	तकनीकी:	एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स
पहूंच समय:	3.5 एनएस	मेमोरी प्रारूप:	घूंट

श्रेणी:	एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:	4 जीबीटी
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	ऑटोमोबाइल, एईसी-क्यू100
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:	सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:	समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	18एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	200-टीएफबीजीए (10x14.5)
मेमोरी प्रकार:	परिवर्तनशील
एमएफआर:	माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
घड़ी की आवृत्ति:	2.133 गीगाहर्ट्ज़
वोल्टेज - आपूर्ति:	1.06 वी ~ 1.17 वी
पैकेज / मामला:	200-टीएफबीजीए
स्मृति संगठन:	256M x 16
परिचालन तापमान:	-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
तकनीकी:	एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स
पहूंच समय:	3.5 एनएस
मेमोरी प्रारूप:	घूंट