श्रेणी:	एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति	मेमोरी का आकार:	1 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय	माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
पैकेज:	टेप और रील (TR)	श्रृंखला:	-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:	सत्यापित नहीं	मेमोरी इंटरफ़ेस:	एसपीआई - क्वाड आई/ओ, क्यूपीआई
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-	आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	16-एसओआईसी
मेमोरी प्रकार:	गैर वाष्पशील	एमएफआर:	एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज इंक।
घड़ी की आवृत्ति:	40 मेगाहर्ट्ज	वोल्टेज - आपूर्ति:	3V ~ 3.6V
पहूंच समय:	7 एनएस	पैकेज / मामला:	16-SOIC (0.295", 7.50 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:	128 के x 8	परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TA)
तकनीकी:	एमआरएएम (मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम)	मूल उत्पाद संख्या:	MR10Q010
मेमोरी प्रारूप:	टक्कर मारना

श्रेणी:	एकीकृत सर्किट (IC) स्मृति स्मृति
मेमोरी का आकार:	1 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:	सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:	सतह माउंट
पैकेज:	टेप और रील (TR)
श्रृंखला:	-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:	सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:	एसपीआई - क्वाड आई/ओ, क्यूपीआई
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:	-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:	16-एसओआईसी
मेमोरी प्रकार:	गैर वाष्पशील
एमएफआर:	एवरस्पिन टेक्नोलॉजीज इंक।
घड़ी की आवृत्ति:	40 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:	3V ~ 3.6V
पहूंच समय:	7 एनएस
पैकेज / मामला:	16-SOIC (0.295", 7.50 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:	128 के x 8
परिचालन तापमान:	0°C ~ 70°C (TA)
तकनीकी:	एमआरएएम (मैग्नेटोरेसिस्टिव रैम)
मूल उत्पाद संख्या:	MR10Q010
मेमोरी प्रारूप:	टक्कर मारना