उत्पाद का विवरण
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विवरण: आईसी DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | मेमोरी का आकार: | 512 एमबीटी | उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | पैकेज: | ट्रे | श्रृंखला: | - | डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 15एनएस | आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 60-एफबीजीए (8x10) | मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | एमएफआर: | एलायंस मेमोरी, इंक। | घड़ी की आवृत्ति: | 400 मेगाहर्ट्ज | वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | पहूंच समय: | 400 PS | पैकेज / मामला: | 60-टीएफबीजीए | स्मृति संगठन: | 64M x 8 | परिचालन तापमान: | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी) | तकनीकी: | एसडीआरएएम - डीडीआर2 | मूल उत्पाद संख्या: | AS4C64 | मेमोरी प्रारूप: | घूंट | 
| श्रेणी: | एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति | 
| मेमोरी का आकार: | 512 एमबीटी | 
| उत्पाद की स्थिति: | सक्रिय | 
| माउंटिंग प्रकार: | सतह माउंट | 
| पैकेज: | ट्रे | 
| श्रृंखला: | - | 
| डिजीकी प्रोग्रामयोग्य: | सत्यापित नहीं | 
| मेमोरी इंटरफ़ेस: | समानांतर | 
| चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ: | 15एनएस | 
| आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज: | 60-एफबीजीए (8x10) | 
| मेमोरी प्रकार: | परिवर्तनशील | 
| एमएफआर: | एलायंस मेमोरी, इंक। | 
| घड़ी की आवृत्ति: | 400 मेगाहर्ट्ज | 
| वोल्टेज - आपूर्ति: | 1.7V ~ 1.9V | 
| पहूंच समय: | 400 PS | 
| पैकेज / मामला: | 60-टीएफबीजीए | 
| स्मृति संगठन: | 64M x 8 | 
| परिचालन तापमान: | -40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी) | 
| तकनीकी: | एसडीआरएएम - डीडीआर2 | 
| मूल उत्पाद संख्या: | AS4C64 | 
| मेमोरी प्रारूप: | घूंट |